logo
Gửi tin nhắn
BIWIN
Hình ảnh Phần # Sự miêu tả nhà sản xuất Cổ phần RFQ
BWET08U -XXG IC Flash NAND SPI (Giao diện ngoại vi nối tiếp) cho Mạng lưới Thiết bị thông minh

BWET08U -XXG IC Flash NAND SPI (Giao diện ngoại vi nối tiếp) cho Mạng lưới Thiết bị thông minh

Bộ lưu trữ SLC NAND Flash cấp công nghiệp bù đắp cho dung lượng thấp, giá cao và tốc độ thấp của SPI
trong kho
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC cho điện thoại thông minh

BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC cho điện thoại thông minh

LPDDR (viết tắt của Tốc độ dữ liệu kép công suất thấp) SDRAM là một loại DDR, được đặc trưng chủ yếu
trong kho
IC DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 dành cho trên xe / Điện thoại thông minh / Chơi game

IC DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 dành cho trên xe / Điện thoại thông minh / Chơi game

Giải pháp DMMC áp dụng thiết kế tích hợp cao bằng cách thêm bộ điều khiển công suất thấp vào đèn fla
trong kho
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC cho xe / máy tính xách tay

BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC cho xe / máy tính xách tay

eSSD là giải pháp driver thể rắn nhúng được thiết kế dưới dạng đóng gói TFBGA
trong kho
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G

UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G

BIWIN UFS Chips là chip bộ nhớ nhúng thế hệ tiếp theo
trong kho
BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G Chip IC EPOP LPDDR4X Dành Cho Thiết Bị Đeo Thông Minh AR/VR

BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G Chip IC EPOP LPDDR4X Dành Cho Thiết Bị Đeo Thông Minh AR/VR

Chip BIWIN ePOP kết hợp MMC và LPDDR di động trong một gói duy nhất với các dung lượng khác nhau
trong kho
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC

BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC

Chip BIWIN eMCP dựa trên MCP (Bao bì đa chip) tích hợp chip eMMC và giải pháp DRAM công suất thấp và
trong kho
1